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    Infineon CoolSiC FF6MR12W2M1B11BOMA1 N-KanalDual, SchraubSiC-Leistungsmodul 1200 V / 200 A AG-EASY2B

    Infineon
    RS Best.-Nr.:
    201-2810
    Herst. Teile-Nr.:
    FF6MR12W2M1B11BOMA1
    Marke:
    Infineon
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    RS Best.-Nr.:
    201-2810
    Herst. Teile-Nr.:
    FF6MR12W2M1B11BOMA1
    Marke:
    Infineon

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    Rechtliche Anforderungen

    Produktdetails

    Das Infineon 6 mO, 1200 V Halbbrückenmodul mit Siliziumkarbid-MOSFET verfügt über NTC-Temperatursensor und Presssitz-Kontakttechnologie. Es ist auch mit thermischem Schnittstellenmaterial erhältlich.

    Hohe Stromdichte
    Geringe induktive Bauweise
    Niedrige Schaltverluste
    RoHS-konforme Module

    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.200 A
    Drain-Source-Spannung max.1200 V
    GehäusegrößeAG-EASY2B
    Montage-TypSchraubmontage
    Drain-Source-Widerstand max.0,00825 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.5.55V
    Transistor-WerkstoffSiC
    Anzahl der Elemente pro Chip2
    SerieCoolSiC