Infineon HEXFET IRLR2905TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 42 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 215-2606
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR2905TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale Ableitquellspannung von 55 V und ist ein einzelner N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäusetyp. Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das D-Pack wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphasen-, Infrarot- oder Schwall-Lötverfahren entwickelt.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Bleifrei
Vollständig lawinengeprüft
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Bleifrei
Vollständig lawinengeprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 42 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,027 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |