- RS Best.-Nr.:
- 445-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP295H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.0.882
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 45 | CHF.0.882 | CHF.4.431 |
50 - 120 | CHF.0.788 | CHF.3.948 |
125 - 245 | CHF.0.735 | CHF.3.675 |
250 - 495 | CHF.0.683 | CHF.3.413 |
500 + | CHF.0.63 | CHF.3.14 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 445-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP295H6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 1,8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | SOT-223 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
Verlustleistung max. | 1,8 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 3.5mm |
Länge | 6.5mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Serie | SIPMOS |
Höhe | 1.6mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |