Teile-Nr.

BSH103,215 N-Kanal MOSFET, 30 V / 850 mA, 500 mW, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin


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RS Best.-Nr.:
484-5560
Herst. Teile-Nr.:
BSH103,215
Marke:
Nexperia
Ursprungsland:
CN
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25 - 25CHF.0.257CHF.6.296
50 - 100CHF.0.176CHF.4.353
125 - 225CHF.0.129CHF.3.183
250 - 475CHF.0.117CHF.3.019
500 +CHF.0.117CHF.2.949
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N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V


EigenschaftWert
Channel-TypN
Dauer-Drainstrom max.850 mA
Drain-Source-Spannung max.30 V
GehäusegrößeSOT-23 (TO-236AB)
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.400 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung min.0.4V
Verlustleistung max.500 mW
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.–8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Betriebstemperatur min.-55 °C
Transistor-WerkstoffSi
Breite1.4mm
Länge3mm
Betriebstemperatur max.+150 °C
Höhe1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs2,1 nC bei 4,5 V