Nexperia BSH103,215 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 850 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 484-5560
Herst. Teile-Nr.:: BSH103,215
Marke:: Nexperia

Nexperia BSH103,215 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 850 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

175 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.

150 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.

Im Warenkorb

Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

CHF.0.378

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 25	CHF.0.378	CHF.9.398
50 - 100	CHF.0.263	CHF.6.51
125 - 225	CHF.0.189	CHF.4.746
250 - 475	CHF.0.179	CHF.4.494
500 +	CHF.0.179	CHF.4.41
*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 484-5560
Herst. Teile-Nr.:: BSH103,215
Marke:: Nexperia

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	850 mA
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOT-23
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	400 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	500 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Breite	1.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	3mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,1 nC bei 4,5 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1mm

RS Best.-Nr.:: 484-5560
Herst. Teile-Nr.:: BSH103,215
Marke:: Nexperia