BSH103,215 N-Kanal MOSFET, 30 V / 850 mA, 500 mW, SOT-23 (TO-236AB) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 484-5560
  • Herst. Teile-Nr. BSH103,215
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 850 mA
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOT-23 (TO-236AB)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 400 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 1.4mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2,1 nC bei 4,5 V
Höhe 1mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 3mm
525 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
2100 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 25)
CHF .0.281
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25
CHF.0.281
CHF.6.927
50 - 100
CHF.0.187
CHF.4.798
125 - 225
CHF.0.140
CHF.3.511
250 - 475
CHF.0.129
CHF.3.34
500 +
CHF.0.129
CHF.3.253
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: