STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP5NK80ZFP N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,3 A 30 W, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 485-7787
- Herst. Teile-Nr.:
- STP5NK80ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.1.439
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 5 | CHF.1.439 | CHF.7.182 |
10 - 20 | CHF.1.292 | CHF.6.458 |
25 - 95 | CHF.1.218 | CHF.6.09 |
100 - 495 | CHF.0.956 | CHF.4.767 |
500 + | CHF.0.809 | CHF.4.053 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 485-7787
- Herst. Teile-Nr.:
- STP5NK80ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 800 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,4 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 30 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.4mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 32,4 nC bei 10 V |
Breite | 4.6mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 9.3mm |
Serie | MDmesh, SuperMESH |