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HEXFET IRFR9024NPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 11 A, 38 W, DPAK (TO-252) 3-Pin


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RS Best.-Nr.:
541-0109
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9024NPBF
Marke:
Infineon
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P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon



EigenschaftWert
Channel-TypP
Dauer-Drainstrom max.11 A
Drain-Source-Spannung max.55 V
GehäusegrößeDPAK (TO-252)
Montage-TypSMD
Pinanzahl3
Drain-Source-Widerstand max.175 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.4V
Gate-Schwellenspannung min.2V
Verlustleistung max.38 W
Transistor-KonfigurationEinfach
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip1
Breite6.22mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs19 nC @ 10 V
Höhe2.39mm
Transistor-WerkstoffSi
Betriebstemperatur max.+150 °C
SerieHEXFET
Länge6.73mm
Betriebstemperatur min.-55 °C