Vishay IRFU9110PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 3,1 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 541-1663
Herst. Teile-Nr.:: IRFU9110PBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFU9110PBF P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 3,1 A 2,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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Produktdetails

P-Kanal MOSFET, 100 V bis 400 V, Vishay Semiconductor

Die Vishay Leistungs-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schneller Schaltung, robustem Gerätedesign, geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das D2PAK (TO-263) ist ein SMD-Leistungsgehäuse. Es bietet die höchste Leistungskapazität und den geringstmöglichen Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.

Dynamische dV-/dt-Bewertung
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	3,1 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,2 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	2,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	2.38mm
Länge	6.73mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,7 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	6.22mm

RS Best.-Nr.:: 541-1663
Herst. Teile-Nr.:: IRFU9110PBF
Marke:: Vishay