IRF830APBF N-Kanal MOSFET, 500 V / 5 A, 74 W, TO-220AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 542-9434
  • Herst. Teile-Nr. IRF830APBF
  • Marke Vishay
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 5 A
Drain-Source-Spannung max. 500 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1,4 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 74 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Breite 4.7mm
Länge 10.41mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 9.01mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 24 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
42 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
316 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .1.57
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 9
CHF.1.57
10 - 49
CHF.1.381
50 - 99
CHF.1.088
100 - 499
CHF.0.971
500 +
CHF.0.843
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