onsemi PowerTrench BSS123 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 170 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-0321
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS123
- Marke:
- onsemi
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Produktdetails
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 170 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Serie | PowerTrench |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V |
| Verlustleistung max. | 360 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 2.92mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,8 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 0.93mm |