STMicroelectronics STripFET II STD35NF06LT4 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 35 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 687-5103
- Herst. Teile-Nr.:
- STD35NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
- RS Best.-Nr.:
- 687-5103
- Herst. Teile-Nr.:
- STD35NF06LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 35 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 17 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 80 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -15 V, +15 V |
Länge | 6.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Breite | 6.2mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 4,5 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 2.4mm |
Serie | STripFET II |