STripFET II STD35NF06LT4 N-Kanal MOSFET, 60 V / 35 A, 80 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 35 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 17 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 80 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -15 V, +15 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Serie STripFET II
Höhe 2.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 25 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Breite 6.2mm
Länge 6.6mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
60 lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .1.205
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
CHF.1.205
CHF.6.038
25 - 95
CHF.1.065
CHF.5.324
100 - 245
CHF.0.924
CHF.4.646
250 - 495
CHF.0.866
CHF.4.341
500 +
CHF.0.819
CHF.4.096
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: