- RS Best.-Nr.:
- 687-5162
- Herst. Teile-Nr.:
- STB40NF10LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 687-5162
- Herst. Teile-Nr.:
- STB40NF10LT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 40 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | D2PAK |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 33 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -15 V, +15 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC bei 5 V |
Länge | 10.4mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 9.35mm |
Betriebstemperatur min. | -65 °C |
Serie | STripFET II |
Höhe | 4.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 687-5162
- Herst. Teile-Nr.:
- STB40NF10LT4
- Marke:
- STMicroelectronics