Infineon HEXFET IRFB4020PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 688-6939
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4020PBF
- Marke:
- Infineon
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| 50 - 120 | CHF.1.197 | CHF.5.985 |
| 125 - 245 | CHF.1.113 | CHF.5.576 |
| 250 - 495 | CHF.1.04 | CHF.5.177 |
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Produktdetails
MOSFET für Digital-Audio, Infineon
Verstärker der Klasse D werden schnell zur bevorzugten Lösung für kommerzielle und private Audio- und Videosysteme. Infineon bietet ein umfassendes Sortiment von Produkten an, die das Design von Verstärkern der Klasse D mit hoher Effizienz vereinfachen.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.9V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 100 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Länge | 10.66mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4.82mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 9.02mm |