onsemi BSS138LG N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 200 mA 225 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 690-0136
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138LT3G
- Marke:
- onsemi
25 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
600 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
CHF.0.242
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 225 | CHF.0.242 | CHF.6.038 |
| 250 - 1225 | CHF.0.063 | CHF.1.491 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.063 | CHF.1.47 |
| 2500 - 12475 | CHF.0.053 | CHF.1.418 |
| 12500 + | CHF.0.053 | CHF.1.386 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 690-0136
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138LT3G
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 50V, ON Semiconductor
Der on Semiconductor BSS138L ist ein Leistungs-MOSFET und sein Gehäusetyp ist SOT-23. Typische Anwendungen sind DC/DC-Wandler, Stromüberwachung in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobiltelefonen und schnurlosen Telefonen.
Niedrige Schwellenspannung
Miniatur-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
Miniatur-SOT-23-SMD-Gehäuse spart Platz auf der Platine
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 50 V |
| Gehäusegröße | SOT-23 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V |
| Verlustleistung max. | 225 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 2.9mm |
| Breite | 1.3mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 0.94mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |