- RS Best.-Nr.:
- 708-2551
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN10A25GTA
- Marke:
- DiodesZetex
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- ZXMN10A25GTA
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Gehäusegröße | SOT-223 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Verlustleistung max. | 3.9 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 6.7mm |
Breite | 3.7mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.8mm |
- RS Best.-Nr.:
- 708-2551
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN10A25GTA
- Marke:
- DiodesZetex