Vishay SI4214DDY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7.5 A 2000 mW, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 710-3327
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4214DDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 7.5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 19,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
| Verlustleistung max. | 2000 mW |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,5 nC bei 10 V, 7,1 nC bei 4,5 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 4mm |
| Länge | 5mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 710-3327
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4214DDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay