- RS Best.-Nr.:
- 739-0189
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6303N
- Marke:
- onsemi
2625 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.0.452
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 5 | CHF.0.452 | CHF.2.237 |
10 - 95 | CHF.0.305 | CHF.1.523 |
100 - 995 | CHF.0.147 | CHF.0.714 |
1000 - 2995 | CHF.0.105 | CHF.0.546 |
3000 + | CHF.0.095 | CHF.0.483 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 739-0189
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6303N
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 500 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 25 V |
Gehäusegröße | SOT-363 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 770 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.65V |
Verlustleistung max. | 300 mW |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | +8 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 1.25mm |
Länge | 2mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,64 nC @ 5 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Höhe | 1mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 739-0189
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6303N
- Marke:
- onsemi