onsemi 2N7000 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 mA 400 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 739-0224
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7000TA
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Produktdetails
MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor
Robuste Stoßentladungstechnologie
Robuste Gate-Oxide-Technologie
Niedrigere Eingangskapazität
Optimierte Gatterladung
Robuste Gate-Oxide-Technologie
Niedrigere Eingangskapazität
Optimierte Gatterladung
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-92 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.3V |
| Verlustleistung max. | 400 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Länge | 5.2mm |
| Breite | 4.19mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 5.33mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |