- RS Best.-Nr.:
- 751-5344
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.1.103
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 20 | CHF.1.103 | CHF.5.502 |
25 - 120 | CHF.0.84 | CHF.4.20 |
125 - 620 | CHF.0.662 | CHF.3.329 |
625 - 1245 | CHF.0.588 | CHF.2.961 |
1250 + | CHF.0.536 | CHF.2.699 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 751-5344
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC3F381N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N, P |
Dauer-Drainstrom max. | 4,1 A; 4,98 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 60 mΩ, 80 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Verlustleistung max. | 1,35 W |
Transistor-Konfiguration | Vollbrücke |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 4mm |
Länge | 5mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 4 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
Höhe | 1.5mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |