ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal, Quad MOSFET, 60 V / 1,4 A

  • RS Best.-Nr. 751-5348
  • Herst. Teile-Nr. ZXMHC6A07N8TC
  • Marke DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N, P
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A; 1,8 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 350 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 1,36 W
Transistor-Konfiguration Vollbrücke
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 4
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V
Höhe 1.5mm
Länge 5mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 4mm
Transistor-Werkstoff Si
15 lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .1.02
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45
CHF.1.02
CHF.5.067
50 - 95
CHF.0.749
CHF.3.768
100 +
CHF.0.620
CHF.3.101
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: