- RS Best.-Nr.:
- 751-5348P
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N, P |
Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A; 1,8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 350 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
Verlustleistung max. | 1,36 W |
Transistor-Konfiguration | Vollbrücke |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Breite | 4mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 4 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 5mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 751-5348P
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex