PowerTrench FDMC86102L N-Kanal MOSFET, 100 V / 30 A, 41 W, Leistung 33 8-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 30 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße Leistung 33
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 39 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 41 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Breite 3.3mm
Länge 3.3mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 0.75mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15 nC @ 10 V
Serie PowerTrench
Betriebstemperatur min. -55 °C
2844 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
CHF .1.521
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18
CHF.1.521
CHF.3.031
20 - 38
CHF.0.854
CHF.1.708
40 +
CHF.0.749
CHF.1.498
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: