NTMS4816NR2G N-Kanal MOSFET, 30 V / 11 A, 2,04 W, SOIC 8-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 11 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 2,04 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,2 nC @ 4,5 V
Breite 4mm
Höhe 1.5mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
1490 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 10)
CHF .0.538
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