MDmesh M5 N-Kanal MOSFET, 650 V / 22 A, 2,8 W, PowerFLAT HS 5-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MY
Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 22 A
Drain-Source-Spannung max. 650 V
Gehäusegröße PowerFLAT HS
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 5
Drain-Source-Widerstand max. 105 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 2,8 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 71 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff Si
Länge 8mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Serie MDmesh M5
Höhe 0.95mm
1340 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .7.232
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
CHF.7.232
CHF.36.146
25 +
CHF.6.225
CHF.31.115
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: