- RS Best.-Nr.:
- 783-3125P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL38N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
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- 783-3125P
- Herst. Teile-Nr.:
- STL38N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 22 A |
Drain-Source-Spannung max. | 650 V |
Gehäusegröße | PowerFLAT HS |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 5 |
Drain-Source-Widerstand max. | 105 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
Verlustleistung max. | 2,8 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 8mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 71 nC @ 10 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 8mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Höhe | 0.95mm |
Serie | MDmesh M5 |