Vishay SI1029X-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 mA, 300 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 787-9055
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1029X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 190 mA, 300 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SC-89-6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3 Ω, 8 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 250 mW |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 1.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 1.7mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1700 nC @ 15 V, 750 nC @ 4,5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.6mm |