- RS Best.-Nr.:
- 790-4606
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3070SSN-7
- Marke:
- DiodesZetex
325 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
425 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
CHF.0.305
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
25 - 100 | CHF.0.305 | CHF.7.686 |
125 - 225 | CHF.0.284 | CHF.7.088 |
250 - 600 | CHF.0.263 | CHF.6.668 |
625 - 1225 | CHF.0.242 | CHF.6.111 |
1250 + | CHF.0.221 | CHF.5.618 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 790-4606
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3070SSN-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 5,1 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOT-346 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 50 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
Verlustleistung max. | 1,3 W, 780 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 1.7mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13,2 nC @ 10 V |
Länge | 3.1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.3mm |