BSS123,215 N-Kanal MOSFET, 100 V / 150 mA, 250 mW, SOT-23 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 792-0885P
  • Herst. Teile-Nr. BSS123,215
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 150 mA
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 6 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.8V
Gate-Schwellenspannung min. 1V
Verlustleistung max. 250 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 1mm
Länge 3mm
Breite 1.4mm
Transistor-Werkstoff Si
81600 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF .0.070
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
200 - 400
CHF.0.070
500 - 900
CHF.0.059
1000 - 1900
CHF.0.059
2000 +
CHF.0.047
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