NTR5198NLT1G N-Kanal MOSFET, 60 V / 2,2 A, 900 mW, SOT-23 3-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 2,2 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-23
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 155 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Verlustleistung max. 900 mW
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,1 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff Si
Breite 1.4mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 1.01mm
Länge 3.04mm
475 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF .0.187
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
50 - 100
CHF.0.187
125 - 475
CHF.0.12
500 - 1225
CHF.0.105
1250 +
CHF.0.094
Verpackungsoptionen: