PSMN015-60BS,118 N-Kanal MOSFET, 60 V / 50 A, 86 W, D2PAK (TO-263) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 798-2833
  • Herst. Teile-Nr. PSMN015-60BS,118
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 50 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße D2PAK (TO-263)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 23,7 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 86 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20,9 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. -55 °C
Länge 10.3mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 11mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Höhe 4.5mm
570 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .0.995
(ohne MwSt.)
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5 +
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CHF.4.985
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