Nexperia PSMN1R8-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 270 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 798-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN1R8-30PL,127
- Marke:
- Nexperia
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Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,8 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.15V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.3V |
| Verlustleistung max. | 270 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10.3mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 16mm |