PSMN1R8-30PL,127 N-Kanal MOSFET, 30 V / 100 A, 270 W, TO-220AB 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 798-2924
  • Herst. Teile-Nr. PSMN1R8-30PL,127
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 100 A
Drain-Source-Spannung max. 30 V
Gehäusegröße TO-220AB
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 1,8 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.15V
Gate-Schwellenspannung min. 1.3V
Verlustleistung max. 270 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.7mm
Höhe 16mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 10.3mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 170 nC @ 10 V
112 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
478 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 2)
CHF .2.317
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8
CHF.2.317
CHF.4.646
10 - 38
CHF.2.036
CHF.4.084
40 - 98
CHF.1.779
CHF.3.57
100 - 198
CHF.1.69
CHF.3.358
200 +
CHF.1.580
CHF.3.159
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: