PSMN7R0-60YS,115 N-Kanal MOSFET, 60 V / 89 A, 117 W, SOT-669 4-Pin

  • RS Best.-Nr. 798-3028
  • Herst. Teile-Nr. PSMN7R0-60YS,115
  • Marke Nexperia
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: PH
Produktdetails

N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia

MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 89 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-669
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 4
Drain-Source-Widerstand max. 10,2 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 117 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Höhe 1.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 45 nC @ 10 V
Länge 5mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Breite 4.1mm
Voraussichtlich ab 15.04.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 5)
CHF .0.398
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