- RS Best.-Nr.:
- 798-3028
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN7R0-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
Voraussichtlich ab 15.05.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (Auf einem Gurtabschnitt von 5)
CHF.1.565
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
5 + | CHF.1.565 | CHF.7.833 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 798-3028
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN7R0-60YS,115
- Marke:
- Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 60–80 V, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 89 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 10,2 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 117 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Länge | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Breite | 4.1mm |
Höhe | 1.1mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |