HiperFET, Q3-Class IXFR48N60Q3 N-Kanal MOSFET, 600 V / 32 A, 500 W, ISOPLUS247 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 801-1443
  • Herst. Teile-Nr. IXFR48N60Q3
  • Marke IXYS
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3

Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Industriestandard-Gehäuse
Niedrige Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 32 A
Drain-Source-Spannung max. 600 V
Gehäusegröße ISOPLUS247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 154 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 6.5V
Verlustleistung max. 500 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 5.21mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 21.34mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Länge 16.13mm
Serie HiperFET, Q3-Class
Transistor-Werkstoff Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs 140 nC @ 10 V
18 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .14.124
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 +
CHF.14.124
Verpackungsoptionen: