STripFET STW120NF10 N-Kanal MOSFET, 100 V / 110 A, 312 W, TO-247 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 110 A
Drain-Source-Spannung max. 100 V
Drain-Source-Widerstand max. 10,5 mΩ
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Transistor-Konfiguration Einfach
Channel-Modus Enhancement
Verlustleistung max. 312 W
Serie STripFET
Höhe 20.15mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
Betriebstemperatur min. -55 °C
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Gate-Ladung typ. @ Vgs 172 nC bei 10 V
Länge 15.75mm
Transistor-Werkstoff Si
Breite 5.15mm
1315 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (in Stange(n))
CHF .3.312
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
25 - 95
CHF.3.312
100 - 245
CHF.2.867
250 - 495
CHF.2.727
500 +
CHF.2.434
Verpackungsoptionen: