STMicroelectronics STripFET STW120NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 312 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 810-3700P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 110 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
| Verlustleistung max. | 312 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 172 nC bei 10 V |
| Länge | 15.75mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.15mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 20.15mm |
| Serie | STripFET |
- RS Best.-Nr.:
- 810-3700P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW120NF10
- Marke:
- STMicroelectronics