Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 812-3029
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 135 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SC-89-6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 250 mW |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 1.2mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 1.7mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,7 nC @ 15 V |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 0.6mm |
- RS Best.-Nr.:
- 812-3029
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay