- RS Best.-Nr.:
- 815-2673
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9Z14S-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
CHF.0.924
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
10 - 90 | CHF.0.924 | CHF.9.209 |
100 - 240 | CHF.0.861 | CHF.8.663 |
250 - 490 | CHF.0.777 | CHF.7.823 |
500 - 990 | CHF.0.735 | CHF.7.371 |
1000 + | CHF.0.693 | CHF.6.909 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 815-2673
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHF9Z14S-GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 4,7 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 500 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 43 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 9.65mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 10.67mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 4.83mm |