- RS Best.-Nr.:
- 818-1422
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8424CDB-T1-E1
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 818-1422
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8424CDB-T1-E1
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MOSFET, 8 V bis 25 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 10 A |
Drain-Source-Spannung max. | 8 V |
Gehäusegröße | MICRO FOOT |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 45 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.35V |
Verlustleistung max. | 2,7 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -5 V, +5 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Länge | 1.6mm |
Breite | 1.6mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25 nC @ 4,5 |
Höhe | 0.31mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 818-1422
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8424CDB-T1-E1
- Marke:
- Vishay