- RS Best.-Nr.:
- 819-3927
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ7415AEN-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 819-3927
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ7415AEN-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 138 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.5V |
Verlustleistung max. | 53 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 3.05mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 25,5 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Länge | 3.05mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 1.04mm |
Serie | SQ Rugged |