Infineon OptiMOS 2 BSD235CH6327XTSA1 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 530 mA, 950 mA 500 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
- RS Best.-Nr.:
- 826-9513
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
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- 826-9513
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2
Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N, P |
Dauer-Drainstrom max. | 530 mA, 950 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | SOT-363 (SC-88) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 600 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V |
Verlustleistung max. | 500 mW |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
Länge | 2mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,34 nC @ 4,5 V, 0,4 nC @ 4,5 V |
Breite | 1.25mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Serie | OptiMOS 2 |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Höhe | 0.8mm |