HEXFET IRFR9024NTRPBF P-Kanal MOSFET, 55 V / 11 A, 38 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

  • RS Best.-Nr. 827-4088P
  • Herst. Teile-Nr. IRFR9024NTRPBF
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. 11 A
Drain-Source-Spannung max. 55 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 175 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4V
Gate-Schwellenspannung min. 2V
Verlustleistung max. 38 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V
Länge 6.73mm
Serie HEXFET
Höhe 2.39mm
Breite 6.22mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Voraussichtlich ab 02.04.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (auf Rolle) Bestellmengen unter 150 Stück auf Gurtabschnitt
CHF .0.609
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
100 - 480
CHF.0.609
500 - 980
CHF.0.538
1000 - 1980
CHF.0.43
2000 +
CHF.0.410
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