Infineon HEXFET IRFR9024NTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 827-4088P
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9024NTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFR9024NTRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 11 A 38 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	11 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	175 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	38 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	19 nC @ 10 V
Länge	6.73mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	6.22mm
Höhe	2.39mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

RS Best.-Nr.:: 827-4088P
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9024NTRPBF
Marke:: Infineon