Texas Instruments NexFET CSD17309Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 60 A 2,8 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 827-4830
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17309Q3
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
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- 827-4830
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17309Q3
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 60 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SON |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.7V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.9V |
| Verlustleistung max. | 2,8 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 3.4mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 7,5 nC @ 4,5 V |
| Länge | 3.4mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Serie | NexFET |
| Höhe | 1.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-4830
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17309Q3
- Marke:
- Texas Instruments