NexFET CSD18531Q5A N-Kanal MOSFET, 60 V / 134 A, 3,1 W, SON 8-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 134 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SON
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 5,8 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V
Verlustleistung max. 3,1 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Breite 5mm
Höhe 1.1mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 4,5 V
Länge 5.8mm
Serie NexFET
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
10 lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .1.521
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45
CHF.1.521
CHF.7.583
50 - 95
CHF.1.194
CHF.5.968
100 - 245
CHF.0.960
CHF.4.79
250 - 495
CHF.0.90
CHF.4.482
500 +
CHF.0.831
CHF.4.178
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: