NexFET CSD19506KCS N-Kanal MOSFET, 80 V / 273 A, 375 W, TO-220 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 273 A
Drain-Source-Spannung max. 80 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 2,8 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3.2V
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V
Verlustleistung max. 375 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 120 nC @ 10 V
Breite 4.7mm
Höhe 16.51mm
Serie NexFET
Betriebstemperatur max. +175 °C
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
51 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .5.02
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 49
CHF.5.02
50 - 99
CHF.3.628
100 - 249
CHF.3.546
250 - 499
CHF.3.358
500 +
CHF.3.054
Verpackungsoptionen: