NexFET CSD18537NKCS N-Kanal MOSFET, 60 V / 54 A, 79 W, TO-220 3-Pin

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Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 54 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 18 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. 2.6V
Verlustleistung max. 79 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Breite 4.7mm
Serie NexFET
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur min. -55 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V
Höhe 16.51mm
160 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (In einer VPE à 5)
CHF .1.357
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20
CHF.1.357
CHF.6.764
25 - 45
CHF.1.077
CHF.5.359
50 - 245
CHF.0.948
CHF.4.763
250 - 495
CHF.0.819
CHF.4.096
500 +
CHF.0.726
CHF.3.651
*Bitte VPE beachten
Verpackungsoptionen: