NexFET CSD18537NKCS N-Kanal MOSFET, 60 V / 54 A, 79 W, TO-220 3-Pin

Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments

MOSFET-Transistoren, Texas Instruments

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 54 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße TO-220
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 18 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. 2.6V
Verlustleistung max. 79 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 10.67mm
Transistor-Werkstoff Si
Höhe 16.51mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Serie NexFET
Breite 4.7mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 10 V
Nicht mehr im Sortiment