Texas Instruments NexFET CSD18537NKCS N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 54 A 79 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 827-4906P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18537NKCS
- Marke:
- Texas Instruments
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- 827-4906P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18537NKCS
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 54 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 18 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.6V |
| Verlustleistung max. | 79 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Länge | 10.67mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Breite | 4.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Höhe | 16.51mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Serie | NexFET |
- RS Best.-Nr.:
- 827-4906P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD18537NKCS
- Marke:
- Texas Instruments