- RS Best.-Nr.:
- 827-4925
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25481F4
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 827-4925
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25481F4
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
P-Kanal-Leistungs-MOSFET FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | P |
Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
Gehäusegröße | PICOSTAR |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 800 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.2V |
Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V |
Verlustleistung max. | 500 mW |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 0,913 nC @ 4,5 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 0.6mm |
Länge | 1mm |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |
Serie | FemtoFET |
Höhe | 0.35mm |