Texas Instruments NexFET CSD87350Q5D N-Kanal Dual, SMD MOSFET-Modul 30 V / 120 A 12 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 827-4943P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
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- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET-Module, Texas Instruments
Halbbrücken-NexFET-Power Block
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 120 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SON |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,2 mΩ, 5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 12 W |
| Transistor-Konfiguration | Serie |
| Gate-Source Spannung max. | +8 V |
| Breite | 5.1mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 4,5 V, 8,4 nC @ 4,5 V |
| Länge | 6.1mm |
| Serie | NexFET |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 827-4943P
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD87350Q5D
- Marke:
- Texas Instruments