MagnaChip MDD1503RH N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 87 A 59,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	87 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.7V
Verlustleistung max.	59,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	6.73mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	6.22mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	2.39mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	-55 °C