MagnaChip MDS1525URH N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 17 A 5,1 W, 8-Pin SOIC

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Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	17 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	14,9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.7V
Verlustleistung max.	5,1 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	4.9mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V
Höhe	1.5mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Betriebstemperatur min.	-55 °C