Infineon CoolMOS C7 IPW65R045C7FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 46 A 227 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 897-7633
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R045C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 02.05.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück
CHF.11.361
| Stück | Pro Stück |
| 1 - 4 | CHF.11.361 |
| 5 - 9 | CHF.10.794 |
| 10 - 24 | CHF.10.574 |
| 25 - 49 | CHF.9.891 |
| 50 + | CHF.9.209 |
- RS Best.-Nr.:
- 897-7633
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R045C7FKSA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 46 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 45 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 227 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 16.13mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 21.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Serie | CoolMOS C7 |
| Höhe | 5.21mm |
- RS Best.-Nr.:
- 897-7633
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R045C7FKSA1
- Marke:
- Infineon