- RS Best.-Nr.:
- 900-9857
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD19536KTTT
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 272 A |
Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
Serie | NexFET |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 2,8 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Verlustleistung max. | 375 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 118 nC @ 0 V |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 9.65mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Länge | 10.67mm |
Höhe | 4.83mm |
Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 900-9857
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- CSD19536KTTT
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